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深圳市辉锦电子有限公司 > 新闻动态 > 龙腾推出高压超结功率MOSFET 绝缘栅双极型IGBT)屏蔽栅沟槽型(SGT)功率MOSFET 低压沟槽型功率MOSF 用于:TV板卡电源 充电器 适配器 LED驱动电源龙腾推出高压超结功率MOSFET 绝缘栅双极型IGBT)屏蔽栅沟槽型(SGT)功率MOSFET 低压沟槽型功率MOSF 用于:TV板卡电源 充电器 适配器 LED驱动电源
发布时间: 2020/7/10 14:17:57 | 263 次阅读
龙腾拥有百余项技术;制定超结功率MOSFET国家行业标准(标准号SJ/T 9014.8.2-2018);运营校企联合新型研发平台(交大-龙腾先进功率半导体技术研究院)。公司建有一流的器件测试实验室及产品可靠性工程中心,并专注提供高效、可靠、安全的功率器件及高性价比的系统解决方案。公司已形成高压超结功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、屏蔽栅沟槽型(SGT)功率MOSFET、低压沟槽型功率MOSFET、高压平面功率MOSFET及功率模块等完整的功率器件产品系列。产品已在消费类(TV板卡电源、充电器、适配器、LED驱动电源)、工业类(计算机及服务器电源、通信电源)、汽车类(充电桩、车载电源)等领域得到了广泛应用
可以提供样品,需要更多的资料可以联系我
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