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湖人半导体(深圳)有限公司
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产品信息
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STB80NF10概述
该电源MOSFET系列产品实现了与意法半导体独有的STripFET进程专门设计以减少输入电容和栅极电荷。因此,它是适合作为先进的高初级开关效率的隔离式DC -DC转换器,电信和计算机应用。它也被用于低栅极电荷驱动的应用程序要求。
STB80NF10应用
切换应用程序
STB80NF10产品技术参数
通道类型N连续漏极电流80 A漏源电压100 V漏源电阻值0.015 Ω栅阈值电压4V栅阈值电压2V栅源电压±20 V封装类型D2PAK安装类型表面贴装引脚数目3通道模式增强类别功率 MOSFET功率耗散300 W配置单典型栅极电荷@Vgs135 nC@ 10 V典型输入电容值@Vds5500 pF@ 25 V工作温度+175 °C高度4.6mm典型关断延迟时间116 ns典型接通延迟时间26 ns每片芯片元件数目1工作温度-55 °C宽度9.35mm长度10.4mm尺寸10.4 x 9.35 x 4.6mm